140句掺杂的拼音和意思精选好句

掺杂

1、掺杂的读音

(1)、将所有圆形和线段全部选中，组合，并将其缩放到合适大小。

(2)、半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温(热)扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质(如Si中的B、P、As)；第二类是产生复合中心的重金属杂质(如Si中的Au)。

(3)、b.   CsPbBr3和Sn掺杂CsPbBr3QLED的电流效率曲线

(4)、石墨烯具有优异的电学与光学性能、极高的电荷载流子迁移率、室温量子霍尔效应等，因而被认为在纳米电子学领域有着非常广泛的应用前景。然而，本征石墨烯零带隙的特点以及过低的载流子浓度大大限制了其在数字电路中的应用。

(5)、相关研究结果发表在《美国化学会-中心科学》(ACSCent.Sci.)上。上述工作得到国家自然科学基金重点项目等资助。

(6)、c.    CsPbBr3和FA掺杂CsPbBr3的薄膜照片

(7)、PeterJunk澳大利亚詹姆斯·库克大学

(8)、SaiyuBu,NanYao,MichelleA.Hunter,DebraJ.Searles&QinghongYuan 

(9)、混杂；使混杂：别把不同的种子掺杂在一起。喝骂声和哭叫声掺杂在一起。依法办事不能掺杂私人感情。

(10)、碱金属元素和碱土金属元素由于具有很强的给电子能力也被用于掺杂优化g-C3N4基光催化剂催化活性。Li和Na由于其较小的原子半径和较弱的金属性，掺杂位置仍为平面的N孔内。6,7其他的掺杂的碱金属和碱土金属元素，如K、Rb、Cs和Sr等与g-C3N4之间由于强离子偶极相互作用，掺杂位置位于g-C3N4层间，掺杂的碱金属和碱土金属失去的电子与g-C3N4上下两层之间均存在电子云的重叠，形成层间电荷传输通道，提高催化剂光生电荷分离和迁移效率。同时由于掺杂金属失去的电子完全离域，影响体系的态密度，改变催化剂的带结构，表现为导带边位置下移，带隙宽度减小，可见光响应波长范围增加。8-10

(11)、锰掺杂对钠基非铅双钙钛矿纳米晶发射光谱的影响

(12)、要点 研究人员以偏钒酸铵(NH4VO3)和偏钨酸铵为原料，用草酸盐法合成了0-40mol%钨取代氧化钒催化剂。原子分辨率HAADF-STEM图像显示，晶格中的钒原子被钨原子取代，当过量钨的掺杂量达到40mol%时，发现了相邻的和簇状的钨物种。XRD测试还表明，当摩尔比大于5mol%时，催化剂中出现了WO3相。

(13)、任何幸福，都不会十分纯粹，多少总掺杂着一些悲哀。

(14)、出处：出自我国南北朝时北齐文学家颜之推的的传世代表作《颜氏家训·文章》，“潘岳赋曰：“是则混杂其雄雌矣。”

(15)、NanoRes.,2018,11,2295–230

(16)、Theeffectofindiumdopingonthehydrogenevolutionperformanceofg-C3N4basedphotocatalystsXiaohangYang,ZilongGuo,XiaoyuZhang,YandongHan,ZhengXue,TengfengXieandWenshengYang*(杨文胜，吉林大学)NewJ.Chem.,2021,45,544-550http://doi.org/1039/D0NJ04854B

(17)、近日，南京理工大学的宋继中教授和曾海波教授课题组梳理并总结了不同元素掺杂的LHP量子点的晶体结构、光学性质、电学性质以及相关QLED性能的演变。根据掺杂位点的不同，该文详细阐述了A位，B位和X位的掺杂离子对LHP晶体结构、光学带隙、发光行为、载流子动力学以及QLED性能的影响；总结了掺杂在钙钛矿领域的最新研究进展和遇到的瓶颈，并展望了掺杂LHP纳米晶材料的进一步应用前景。

(18)、选中所有线段，将线宽改为合适的值，线条颜色改为灰色，使用ThreeD插件的“圆棍”功能将其转为圆棍。

(19)、图(a)掺杂的碱金属离子与g-C3N4之间强离子偶极相互作用示意图和(b)掺杂的碱金属离子在g-C3N4层间形成电荷传输通道。

(20)、(中国科学院理化技术研究所戴闻编译自MichaelM.Scherer.Physics，October2020)

2、掺杂的拼音和意思

(1)、a.    不同Cs和FA比例的钙钛矿发光光谱图

(2)、《物理》在淘宝店和微店上线，扫码即可购买过刊和现刊。

(3)、化学是重要的基础科学之是一门以实验为基础的学科，在与物理学、生物学、地理学、天文学等学科的相互渗透中，得到了迅速的发展，也推动了其他学科和技术的发展。例如，核酸化学的研究成果使今天的生物学从细胞水平提高到分子水平，建立了分子生物学。

(4)、外掺杂杂质不是来源于衬底，由人为控制的掺杂方式。　　

(5)、例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。

(6)、NH3-SCR(选择性催化还原)是脱除NOx的重要工艺。然而，废气中的水蒸气在低温范围内严重抑制了该反应。

(7)、近日，南昌大学XiangWang，XianglanXu报道了Cr/Ce摩尔比为1：9的Ru/CeO2催化剂载体中的Cr离子掺杂显著提高了催化剂的低温CO2甲烷化活性，150℃时Ru/Ce0.9Cr0.1Ox催化剂的周转频率是Ru/CeO2催化剂的3倍。

(8)、npj:聚蒽转化为石墨烯纳米带—环脱氢过程模拟

(9)、d.   Bi掺杂的CsPbBr3的发光光谱

(10)、MaartenRoeffaers比利时鲁汶天主教大学

(11)、图不同In3+掺杂量的In-g-C3N4光催化剂的(a)产氢催化速率曲线，(b)固体-紫外漫反射吸收光谱，(c)稳态表面光电压谱；(d)随In3+掺杂量In-g-C3N4光催化剂光电压最大响应值与可见光催化产氢速率趋势变化对比；(e)不同In3+掺杂量的In-g-C3N4光催化剂的周期光电流响应和(f)光电流密度变化与光催化产氢速率趋势变化对比。

(12)、此外，扩展的VanHove奇点可能导致比预期更高的态密度，这可能使超导态具有更高的转变温度。什么样的超导电性可能存在于VanHove掺杂的石墨烯宿主？答案可能是手征拓扑超导。这对于未来的技术应用，例如量子计算，前景广阔。

(13)、综上所述，本文总结了掺杂离子(包括A位，B位和X位)对晶体结构、带隙、PL、载流子动力学和基于LHP纳米晶LED器件性能的影响。A为掺杂可能对晶体结构产生更大的影响，特别是对于基于I的钙钛矿，较大的A位阳离子可以帮助其获得更稳定的晶相。B位金属掺杂剂与钙钛矿主体具有复杂的相互关系，主要体现在电子结构和能带上。由于Pb在LHP中处于重要的晶体结构位置，极大影响了电子结构状态，少量的B位掺杂剂可以极大地改变钙钛矿QD的光学和电学性质。X位阴离子主要是由于它们对价带的贡献从而可以调控带隙和光谱。同时，卤素的损失是钙钛矿QDs表面缺陷的重要来源。由此可见，适当的掺杂将有助于稳定相结构，提高发光效率，减少非辐射跃迁并进一步增强QLEDs器件的性能。

(14)、例句：七色中混杂着好多不同的颜色，可真漂亮。犹如一条仙女的丝带，在阳光中飘来飘去，忽明忽暗，有红、桔红、橙、桔黄、金黄、黄绿、青、青绿、浅绿……五彩缤纷，还有些我怎么也叫不出名字的“怪色”。这么多颜色令人感到无比欣喜。

(15)、本工作中，该团队成功合成了未掺杂及锰掺杂直接带隙钠基非铅双钙钛矿纳米晶。未掺杂锰离子的纳米晶具有蓝色荧光。掺杂锰离子后，展现出单一的、纯的锰掺杂剂发光，最高荧光量子产率达到6%。科研人员结合稳态和瞬态光谱技术，证明其明亮的、纯的锰掺杂剂荧光主要归因于暗自陷态辅助过程。此外，该团队还进一步研究了掺杂剂发光体系的尺寸效应。该工作强调了合理利用半导体纳米材料亚能带对设计高性能半导体纳米材料具有重要指导意义。

(16)、Sci.Technol.Adv.Mater.,2011,12,034401-03440

(17)、a.    CsPbBr3和FA掺杂CsPbBr3QLED的电流密度和亮度曲线

(18)、https://doi.org/1021/acscatal.0c05468

(19)、c.    钙钛矿三色光的CIE坐标和标准NTSC的对比

(20)、J.Mater.Chem.A,2017,5,9358–93

3、掺杂的意思

(1)、选中掺杂原子，使用ThreeD球体按钮，重新将其转变为标准球体

(2)、目前已报道的掺杂g-C3N4的金属元素主要包括过渡金属元素、稀土金属元素、碱金属元素及碱土金属元素等。通过简单的单分子前驱体和金属无机盐高温共缩合，可制备获得金属掺杂的g-C3N4基光催化剂。过渡金属元素和稀土金属元素掺杂的g-C3N4光催化剂，带隙宽度减小，吸收带边红移，由于掺杂的过渡金属和稀土金属离子与g-C3N4之间强配位作用，存在金属-配体电荷转移过程，可见光吸收部分有明显的拖尾，吸收系数依赖于掺杂量：随掺杂浓度增加，吸收带边逐渐红移，并且可见光吸收强度不断增加。此外金属-配体电荷转移过程能够促进光生电荷载流子的分离和迁移(图3)。3-5

(3)、选中掺杂原子，再按住Ctrl键选中其周围的原子。

(4)、化学是自然科学的一种，在分子、原子层次上研究物质的组成、性质、结构与变化规律；创造新物质的科学。

(5)、选中正六边形，再按住Ctrl选中所有圆形。

(6)、a.    Cd和Zn掺杂的CsPbBr3的光学吸收和发光光谱

(7)、要点 X射线衍射和拉曼光谱表征结果显示，Cr3+掺杂在CeO2载体的晶格中。因此，Ce0.9Cr0.1Ox载体上生成了更多的活性氧，Ru/Ce0.9Cr0.1Ox催化剂在还原过程中比Ru/CeO2催化剂含有更多的氧空位和羟基。

(8)、选中一条紫色线段，在OneKey插件中使用“特殊选中”-“按线条纯色”选中所有紫色线段，将其移动到两列六边形中间。

(9)、Chem.Rev.,2014,114,9987−100

(10)、要点 湿条件下，钨取代的氧化钒的酸性位点转化为Brønsted酸位点，而不含钨的氧化钒的粒子数没有明显变化。OperandoUV-Vis测试结果显示，5mol%钨取代的钒氧化物即使在有水的情况下也表现出很强的氧化还原能力，还原半周期内N2的生成几乎不受加水的影响。5W-V催化剂在水存在下具有较高的氧化还原性能和低温下的Brønsted酸位点反应活性。

(11)、Adv.Mater.,2009,21,1609–16

(12)、b.   FA掺杂对CsPbBr3薄膜的光谱影响

(13)、e.    CsPbI3和FA掺杂CsPbI3的荧光衰减曲线

(14)、ACSCatal.,2016,6,2462−24

(15)、DavidFarrusseng法国国家科学研究中心里昂催化环境研究所

(16)、石墨烯的电子能带结构展现出所谓的VanHove奇点，即态密度发散的点。这种发散发生在多个VanHove点(黄色点)，它们的能量高于众所周知的狄拉克点(红色点)。当石墨烯被掺杂时，费米能级(绿线)向上移动，到达VanHove奇点或更高的位置，导致增强的多体效应，从而产生集体态，诸如超导电性和磁性的非常规形式

(17)、f.     不同Bi掺杂浓度对CsPbBr3的光学带隙的影响示意图

(18)、a.    α相和δ相的FAPbI3晶体结构和晶面间距

(19)、Jean-FrançoisGérard法国里昂大学里昂国立应用科学学院

(20)、要点 实验结果显示，5W-V催化剂具有最高的NO转化率，干催化剂超过99%，湿催化剂达到93%(湿，10vol%的水)。当钒氧化物中添加超过5mol%的钨时，NO转化率降低。得益于大量的WO6单元连接了氧化钒层，添加钨显著提高了催化剂的稳定性。

4、掺杂半导体分为哪两种类型?

(1)、在这篇文章的工作中，作者发现IIIA主族元素掺杂表现出与典型过渡金属/稀土金属及碱金属/碱土金属元素掺杂不同的掺杂模式，这是由于掺杂的IIIA主族元素与g-C3N4之间不同的相互作用决定的。作者利用IIIA主族元素铟(In)掺杂g-C3N4(In-g-C3N4)，通过改变铟前驱体加入量，可精确调控In-g-C3N4催化剂中铟离子(In3+)的掺杂量由0.18增加至21wt%。通过结构数据的表征及理论计算结合，作者发现尽管平面内N孔的尺寸足够容纳In3+，但掺杂的In3+位于g-C3N4层间，与典型的层间掺杂碱金属/碱土金属离子不同，掺杂的In3+接近g-C3N4其中一层N孔上方的位置，作者将其定义为准层间掺杂模式(图5a-b)。由二维电子局域函数表征可知掺杂的In3+与较近的一层之间相互作用为弱配位，差分电荷密度可以看到与较近一层N原子之间存在电荷转移过程，与较远的一层为弱离子偶极相互作用，由于这种不同的相互作用，决定了掺杂不同的模式并表现出不同的光学及光电性质(图5c-d)。

(2)、c.    CsPbI3和Ag掺杂CsPbI3QLED的EQE-电流密度曲线

(3)、CO2甲烷化是CO2回收利用、可再生氢气储存和运输以及实施沼气发电技术的一种重要而有前途的工艺。

(4)、c.    不同Rb浓度掺杂的CsPbBr3的光学吸收

(5)、a.    CsPb(Cl/Br)CsPbBr3和CsPb(Br/I)3QLEDs的照片

(6)、该刊的所有方是法国国家科学研究所中心(CentreNationaldelaRechercheScientifique,CNRS)，自1998年1月起与英国皇家化学会共同出版，报道化学及其各分支领域的高质量、原创性研究成果，发表的论文包括研究全文、快报、展望和专题文章。除了具有较大比重的化学相关部分外，该刊发表的论文还应阐明所报道的研究工作对其它领域所能产生的影响。

(7)、在ThreeD插件中，点击“智能连线”，在弹出的窗口中，将宽度改为与化学键线条宽度相等

(8)、NG中的掺杂氮原子通常以吡啶氮、吡啶氮氧化物、吡咯氮、石墨氮等多种形式共存，并且掺杂氮原子在石墨烯的面内排列无序，这也使得载流子在输运过程中遭遇更强的散射，导致载流子迁移率大大降低。

(9)、DavitZargarian加拿大蒙特利尔大学

(10)、KazunariYoshizawa日本九州大学

(11)、世界由物质组成，化学则是人类用以认识和改造物质世界的主要方法和手段之一。它是一门历史悠久而又富有活力的学科，它的成就是社会文明的重要标志，化学中存在着化学变化和物理变化两种变化形式。

(12)、d.   CsPbBr3和FA掺杂CsPbBr3的荧光衰减曲线

(13)、JaïrtonDupont巴西南大河州联邦大学

(14)、e.    Mn掺杂的CsPbCl3的发光光谱

(15)、GregoryWelch加拿大卡尔加里大学

(16)、同样方式即可制作其他掺杂点，最后添加透视、三维旋转后，点击ThreeD图层重排即可。

(17)、均相催化与酶催化QQ群：871976131

(18)、选中需要修改的原子，更改其颜色、尺寸和位置。删除其周围的化学键。

(19)、要点 原位傅里叶变换红外光谱和程序升温表面反应结果表明，Ru/Ce0.9Cr0.1Ox和Ru/CeO2催化剂上的CO2甲烷化反应均遵循甲酸盐和CO*途径，低温下以前者为主。CO2与表面羟基相互作用生成吸附的碳酸氢盐，然后碳酸氢盐进一步转化为甲酸盐，最后生成CH4*。Cr3+掺杂增加了表面氧空位和羟基的数量，从而增加了碳酸氢盐和甲酸盐的数量。因此，Cr掺杂强烈促进了甲酸盐途径，大大提高了Ru/Ce0.9Cr0.1Ox催化剂的低温低温CO2甲烷化催化活性。

(20)、非铅双钙钛矿纳米晶有望解决铅基钙钛矿纳米晶的毒性和不稳定性。近年来，科研人员主要关注于其宽波段白光发射，对其他特定颜色的荧光发射研究的比较少。掺杂策略可以有效改善卤素钙钛矿纳米晶的光学性质和稳定性。就锰离子掺杂体系来说，虽然掺杂剂发光是科研人员感兴趣的方面，但常常伴随着与其产生竞争关系的带边发射或自陷态发射。而且，锰掺杂非铅双钙钛矿纳米晶的尺寸效应及动力学机理需要进一步深入研究。

5、掺杂体百度百科

(1)、选中组合，在iSlide插件选项卡左侧找到“设计排版”，在下拉菜单中点击“矩阵布局”，设置需要的行数和列数，调整横向间距，调整纵向间距到恰当值。

(2)、b.   不同FA浓度掺杂的CsPbBr3的光学吸收和发光光谱

(3)、d.   不同途径和前驱体的阴离子交换示意图

(4)、f.     Eu掺杂后的CsPbCl3的能带结构示意图

(5)、f.     CsPbBr3和Ce掺杂CsPbBr3的激发过程和激发机制示意图

(6)、d.   CsPbBr3和Sr掺杂CsPbI3QLED的EQE曲线

(7)、Angew.Chem.Int.Ed.,2015,54,12868–128

(8)、AkhilaK.Sahoo印度海德拉巴大学

(9)、图(a)-(b)不同掺杂位置的In-g-C3N4晶胞构型，(c)准层间掺杂的In与g-C3N4之间差分电荷密度图和(d) In-g-C3N4二维电子局域函数图。

(10)、c.    基于DFT的第一性原理计算的Mn掺杂CsPbBr3的三维晶体结构示意图

(11)、npj:高温下石墨烯在铜表面—飘浮舒服还是下沉舒服？

(12)、c.    CsPbBr3和Ce掺杂CsPbBr3QLED的亮度曲线

(13)、Designoftwo-dimensionalcarbon-nitridestructuresbytuningthenitrogenconcentration 

(14)、氮掺杂石墨烯中的氮浓度普遍很低，除利用特殊的芳香烃分子合成的氮原子周期性分布的碳氮二维材料以外，目前报道的氮掺杂石墨烯中氮原子的掺杂浓度不高于20%，这使得NG中载流子浓度的调控受到很大限制。

(15)、在新实验中，Rosenzweig和同事们通过镱(Ytterbium)插层来研究掺杂石墨烯单层。为了从电子能带结构的角度分析掺杂的结果，他们使用了角分辨光电子能谱(ARPES)，其动量分辨率高，工作于低温20K。实验观察到，镱和石墨烯之间的电荷转移导致石墨烯的能带被填满，将费米能级从狄拉克点移动到VanHove点。光电子能谱数据还表明，石墨烯的导带被强烈地扭成了一个平坦的带，延伸到宽范围的晶体动量空间。此外，费米能级被钉在VanHove点上，产生了一个扩展的VanHove奇点。

(16)、自掺杂是说由于热蒸发或者化学反应的副产物对衬底的腐蚀，使衬底中的硅和杂质进入气相，改变了气相中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中的杂质实际分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应。　　

(17)、HendrikHeinz美国科罗拉多大学博尔德分校

(18)、核心是通过多款PPT插件的合理运用，快速、准确地得到所需图形。

(19)、DaltonTrans.,2019,48,5083–50

(20)、把假的掺在真的里面或把质量差的掺在质量好的里面。

(1)、组合所有对象，再ThreeD中点击“俯仰”按钮切换为俯视图，得到三维石墨烯片。

(2)、关于掺杂石墨烯的新实验，令这种二维材料超越了“VanHove奇点”，进入到可能会存在奇异物质态的区域。

(3)、d.   DFT计算的涵盖了自旋轨道的CsPbI3和Mn掺杂CsPbI3的态密度

(4)、XianglanXu,FacileCr3+-DopingStrategyDramaticallyPromotingRu/CeO2forLow-TemperatureCO2Methanation:UnravelingtheRolesofSurfaceOxygenVacanciesandHydroxylGroups,ACSCatal.2021

(5)、图g-C3N4基半导体光催化氧化还原反应机理示意图。

(6)、石墨烯是研究VanHove超导电性的一种很有前途的候选材料。它的六方对称性，在磁性和超导电性之间的平衡中，绝对地有利于后者(即超导)。在原始单层石墨烯中，费米能级(在零温下表征最高填充电子能级)，与VanHove点相对较远(几个电子伏特)。然而，VanHove点可以通过化学掺杂而达到，例如通过插层。通过在石墨烯单层和衬底之间插入某种类型的原子，使电荷载流子从插层原子转移到石墨烯。根据插层原子的选择，转移电荷的数量是不同的。这种化学掺杂技术可以使石墨烯中的费米能级接近VanHove点。

(7)、e.    不同卤素掺杂比例的CsPbX3量子点胶体溶液和对应的光谱

(8)、b.   CsPbBr3和FA掺杂CsPbBr3QLED的EQE曲线

(9)、https://doi.org/1038/s41467-020-20867-w

(10)、g.   CsPbBr3和Ce掺杂CsPbBr3的瞬态光谱

(11)、图富氮П共轭大环分子：(1)卟啉，(2)酞菁，(3)g-C3N(4)叶绿素a，(5)血红素，(6)酞菁磺酸铁和(7)酞菁锌。

(12)、DOI:1021/acscatal.0c05468

(13)、AlexanderJ.AndreCobb伦敦国王学院

(14)、b.   CsPb(Cl/Br)CsPbBr3和CsPb(Br/I)3的光致发光和电致发光光谱

(15)、Inomata,Y.,Kubota,H.,Hata,S.etal.Bulktungsten-substitutedvanadiumoxideforlow-temperatureNOxremovalinthepresenceofwater.NatCommun12,557(2021).

(16)、图(a)过渡金属掺杂g-C3N4增强可见光吸收能力和(b)金属-配体电荷传输过程示意图。

(17)、掺杂：通常用于化工、材料等领域中，掺杂通常是指为了改善某种材料或物质的性能，有目的在这种材料或基质中，掺入少量其他元素或化合物。

(18)、准层间模式掺杂的In3+并不能增强g-C3N4催化剂的光吸收能力，也不影响催化剂的带边位置和氧化还原能力，然而最佳In3+掺杂量的In-g-C3N4催化剂(18wt.%)相比单独g-C3N4表现出提高17倍的光催化产氢速率，这是因为掺杂的In3+能够有效提高光生电荷的分离和迁移效率。由稳态表面光电压谱和周期光电流响应数据可以看出，随着In3+掺杂量的变化，最大表面光电压响应值和光电流密度变化趋势与光催化产氢速率变化趋势一致，说明光生电荷分离和迁移增强是其光催化活性提高的原因。

(19)、含义不同：复合材料其它的材料作为增强相，基体通常是连续的，增强相可以使颗粒、纤维、层板。可以认为增强相是镶嵌在基体里的。掺杂：通常用于化工、材料等领域中，掺杂通常是指为了改善某种材料或物质的性能，有目的在这种材料或基质中，掺入少量其他元素或化合物。

(20)、要点 使用operandoIR和UV-Vis测量分别研究了0W–V(不含钨的V2O5)，5W–V(最佳活性催化剂)和40W–V(过量钨)的反应机理。研究发现，钒中心起氧化还原位点的作用，钨中心起到吸附氨的酸性位点的作用。钨的高覆盖率尽管增加了酸性位点的数量，同时减少了氧化还原位点的数量，因此，随着钨含量的增加，催化活性降低。

(1)、近日，日本东京都立大学ToruMurayama报道了研究了钨取代氧化钒的低温NH3-SCR催化活性及其在干、湿条件下的反应机理。

(2)、将下方线段、以及下方的两个圆分别设置为紫色和红色。

(3)、选中所有圆形，将线条改为无线条，填充设为灰色，使用ThreeD插件的“球体”按钮将其转变为球体。

(4)、不同于传统半导体中的n型或p型掺杂，钙钛矿量子点中的掺杂通常为杂质离子在原有结构中的替换，得益于钙钛矿离子晶体的特性，掺杂在钙钛矿中要相对容易。LHP的晶体结构为ABX3(A位为一价的有机分子或者金属离子，如FA+，MA+，Cs+等；B位为二价金属离子如Pb2+，Sn2+，Mn2+等；X位为卤素离子)。不同位点的掺杂对钙钛矿晶体结构和电子能带结构的影响也会不同，例如A位离子的大小会影响晶体结构的稳定性；而B位和X位的离子主要参与钙钛矿的能带结构组成，所以B位和X位的掺杂会大大影响钙钛矿量子点的光学和电学性能。因此，在特定位置引入特定元素或基团为提高钙钛矿晶体结构的稳定性、优化发光性能、改善非辐射复合、调控激子动力学等提供了有效的解决途径。

(5)、DOI:1038/s41467-020-20867-w

(6)、DebbieCrans美国科罗拉多州立大学

(7)、在英豪插件选项卡中找到“线条相关”，在下拉菜单中点击“线条分段”，此时正六边形会变成6条线段。

(8)、c.    发光和不同B位掺杂离子晶格矢量的对应关系

(9)、掺杂：指多种物质混杂在一起，在化工、材料等领域中，掺杂通常是指为了改善某种材料或物质的性能，有目的在这种材料或基质中，掺入少量其他元素或化合物。掺杂可以使材料、基质产生特定的电学、磁学和光学等性能，从而使其具有特定的价值或用途。

(10)、然而，研究人员并没有止步于VanHove奇点。他们通过继续沉积钾在石墨烯片上，提供了额外的电荷转移。这种混合掺杂过程导致了电荷载流子密度的进一步增加，最终使费米能级从VanHove奇点退钉扎。这些掺杂技术为在VanHove点附近系统地探索石墨烯奠定了基础。

(11)、石墨烯以其独特的电子特性而闻名，例如狄拉克点，在材料能带结构中的这个点，电子行为类似于高能粒子。一个载荷电子通过狄拉克样式的石墨烯，就会像一个粒子，几乎不与它的许多同类相互作用。现在，PhilippRosenzweig和他来自德国马克斯·普朗克固体研究所的同事们，在石墨烯中添加了过量的电荷载流子，将载流子的能量从上述狄拉克点移动到范霍夫(VanHove)点，甚至更高。据报道，这是第一次。

(12)、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说，一个p-n结的能带会弯折，起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同，但是形成p-n结后其费米能阶必须保持在同样的高度，造成无论是p型或是n型半导体的导带或价带都会被弯曲以配合界面处的能带差异。

(13)、Adv.Mater.,2016,28,6959–69

(14)、在石墨烯等二维材料中，它们能带的特征是电子态密度存在发散的点——称为VanHove奇点。如此多的状态集合，增强了多体相互作用的影响，并支撑物质集体态的形成。但是，具体是哪一种集体态是不确定的，因为在VanHove奇点，磁性和超导电性(以及其他有序相)之间存在着微妙的竞争，而“赢家”取决于能带的精细形状。这种类型的竞争，可能有助于解释高温超导体和魔角双层石墨烯中观察到的超导电性。在非常规超导体的VanHove场景中，人们认为电子之间的排斥相互作用会引起涨落——例如导致自旋波——这反过来又会引起吸引相互作用。这些吸引成分可以促进库珀对的形成，从而促进产生超导电性。测试这种情况，是将石墨烯掺杂到高水平的主要动机之一。

(15)、本文系网易新闻·网易号“各有态度”特色内容

(16)、b．钙钛矿中不同A位离子的容忍因子与不同B位离子的八面体因子

(17)、在英豪插件选项卡中找到“位置分布”，在下拉菜单中点击“沿线均匀分布保持原角度”。

(18)、纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。

(19)、SumanL.JainCSIR印度石油学院

(20)、AppliedCatalysisB:Environmental,2018,232,69–

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